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Transistor bipolaires - BJT NPN Hi-Pwr Amp

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   » Composants électroniques    »  Publié le 2014-04-18  [Lu  3354  fois]
Transistor bipolaires - BJT NPN Hi-Pwr Amp


Fabricant:Central Semiconductor
Catégorie du produit:Transistors bipolaires - BJT
RoHS:Non
Polarité du transistor:NPN
Collecteur - Tension de base VCBO:80 V
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:80 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :2 V
Courant CC max. du collecteur:20 A
Produit gain-bande passante fT :2 MHz
Température de fonctionnement max.:+ 150 C
Style de montage:Through Hole
Package/Boîte:TO-3
Marque:Central Semiconductor
Courant de collecteur continu :0.45 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:40
Dissipation de puissance max.:200 W
Température de fonctionnement min.:- 65 C
Conditionnement:Tube
Série:2N5303



 

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